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| 英文名称： |
Measurement method of radiation induced traps by deep level transient spectroscopy |
 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合 |
| ICS分类： |
电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合 |
| 发布部门： |
中国电子学会 |
| 发布日期： |
2022-12-31 |
| 实施日期： |
2023-01-31
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| 提出单位： |
中国电子学会可靠性分会 |
| 归口单位： |
中国电子学会可靠性分会 |
| 起草单位： |
工业和信息化部电子第五研究所、哈尔滨工业大学 |
| 起草人： |
彭超、雷志锋、何玉娟、张战刚、肖庆中、来萍、黄云、李兴冀、杨剑群、徐晓东 |
| 页数： |
16页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
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