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半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

国家标准
标准编号:GB/T 17170-2015 标准状态:现行
标准价格:24.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的红外吸收测试方法。
本标准适用于电阻率大于106 Ω·cm 的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。
本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主 EL2浓度的测定。
英文名称:  Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
什么是替代情况? 替代情况:  替代GB/T 17170-1997
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法
什么是ICS分类?  ICS分类:  冶金>>77.040金属材料试验
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2015-12-10
实施日期:  2016-07-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2)
起草单位:  信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会
起草人:  何秀坤、李静、张雪囡
页数:  8页
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2016-07-01
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前言
本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替 GB/T17170—1997《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级 EL2浓度红外吸收测试方法》。
本标准与 GB/T17170—1997相比,主要有以下变化:
———修改了标准名称;
———增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”等章;
———扩展了半绝缘砷化镓单晶电阻率范围,将电阻率大于107 Ω·cm 修改为大于106 Ω·cm;
———将范围由“非掺杂半绝缘砷化镓单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶”;
———删除了0.4mm~2mm 厚度测试样品的解理制样方法。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会。
本标准主要起草人:何秀坤、李静、张雪囡。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T17170—1997。
引用标准
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T14264 半导体材料术语

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