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硅单晶中III、V族杂质含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法

国家标准
标准编号:GB/T 24581-2022 标准状态:现行
标准价格:29.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中III、V族杂质含量的方法。
本标准适用于硅单晶中的III、V族杂质铝(Al)、锑(Sb)、砷(As)、硼(B)、镓(Ga)、铟(In)和 磷(P)含量的测定,各元素的测定范围(以原子数计)为1.0×1010 cm-3~4.1×1014 cm-3。
英文名称:  Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method
什么是替代情况? 替代情况:  替代GB/T 24581-2009
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法
什么是ICS分类?  ICS分类:  冶金>>77.040金属材料试验
发布部门:  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:  2022-03-09
实施日期:  2022-10-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位:  乐山市产品质量监督检验所、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业(青海)股份有限公司、新特能源股份有限公司、有研半导体硅材料股份公司、四川永祥股份有限公司、陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、江苏鑫华半导体材料科技有限公司等
起草人:  梁洪、赵晓斌、万涛、薛心禄、魏东亮、王彬、邱艳梅、杨素心、李素青、李朋飞、赵培芝、王永涛、魏强、楚东旭、周延江、刘文明、刘红、何建军、皮坤林
页数:  12页
出版社:  中国标准出版社
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