半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 |
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| 标准编号：GB/T 19199-2015 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：24.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。
本标准适用于电阻率大于106Ω·cm 的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的测定。测量范围:室 温 下 从 1.0×1015 atoms/cm3 到 代 位 碳 原 子 的 最 大 溶 解 度,77 K 时 检 测 下 限 为4.0×1014atoms/cm3。 |
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| 英文名称： |
Test methods for carbon acceptor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy |
 替代情况： |
替代GB/T 19199-2003 |
| 中标分类： |
冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2015-12-10 |
| 实施日期： |
2016-07-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料会 |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料会 |
| 起草单位： |
信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会 |
| 起草人： |
何秀坤、李静、张雪囡 |
| 页数： |
8页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2016-07-01 |
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本标准按照 GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准代替 GB/T19199—2003《半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》。
本标准与 GB/T19199—2003相比,主要有以下变化:
———增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”4章;
———扩展了半绝缘砷化镓单晶电阻率范围,将电阻率大于107Ω·cm 修改为大于106Ω·cm;
———将范围由“非掺杂半绝缘砷化镓单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶”;
———去除了0.4mm~2mm 厚度测试样品的解理制样方法;
———室温差示法测量时,将“仪器分辨率为0.5cm-1或1cm-1”,修改为“仪器分辨率1cm-1”。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中国电子材料行业协会。
本标准起草人:何秀坤、李静、张雪囡。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
———GB/T19199—2003。 |
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GB/T14264 半导体材料术语 |
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