半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST） |
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| 标准编号：GB/T 4937.4-2012 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：24.0 元 |
客户评分：  |
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GB/T4937的本部分规定了强加速稳态湿热试验(HAST)方法,用于评价非气密封装半导体器件在潮湿的环境下的可靠性。 |
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| 英文名称： |
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 4: Damp heat, steady state, highly accelerated stress test (HAST) |
 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合 |
| ICS分类： |
电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合 |
| 采标情况： |
IEC 60749-4:2002 IDT |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2012-11-05 |
| 实施日期： |
2013-02-15
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| 首发日期： |
2012-11-05 |
| 提出单位： |
中华人民共和国工业和信息化部 |
| 归口单位： |
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78) |
| 主管部门： |
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78) |
| 起草单位： |
中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 起草人： |
李丽霞、陈海蓉、崔波 |
| 页数： |
8页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 书号： |
155066·1-46248 |
| 出版日期： |
2013-02-15 |
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GB/T4937《半导体器件 机械和气候试验方法》由以下部分组成:
———第1部分:总则;
———第2部分:低气压;
———第3部分:外部目检;
———第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST);
———第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验;
———第6部分:高温贮存;
———第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析;
———第8部分:密封;
———第9部分:标志耐久性;
———第10部分:机械冲击;
———第11部分:快速温度变化 双液槽法;
———第12部分:变频振动;
———第13部分:盐气;
———第14部分:引线牢固性(引线强度);
———第15部分:通孔安装器件的耐焊接热;
———第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND);
———第17部分:中子辐射;
———第18部分:电离辐射(总剂量);
———第19部分:芯片剪切强度;
———第20部分:塑封表面安装器件的耐湿和耐焊接热;
———第21部分:可焊性;
———第22部分:键合强度;
———第23部分:高温工作寿命;
———第24部分:加速耐湿 无偏置强加速应力试验;
———第25部分:温度循环;
———第26部分:静电放电(ESD)敏感度试验 人体模式(HBM);
———第27部分:静电放电(ESD)敏感度试验 机械模式(MM);
———第28部分:静电放电(ESD)敏感度试验 器件带电模式(CDM)(考虑中);
———第29部分:门锁试验;
———第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理;
———第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的);
———第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的);
———第33部分:加速耐湿 无偏置高压蒸煮;
———第34部分:功率循环;
———第35部分:塑封电子元器件的声学扫描;
———第36部分:恒定加速度;
———第37部分:手持电子产品用元器件桌面跌落试验方法;
———第38部分:半导体器件的软错误试验方法;
———第39部分:半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量。
本部分是GB/T4937的第4部分。
本部分按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本部分使用翻译法等同采用IEC60749-4:2002《半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:强
加速稳态湿热试验(HAST)》。
为便于使用,本部分做了下列编辑性修改和勘误:
a) 用小数点“.”代替作为小数点的逗号“,”;
b) 删除国际标准的前言;
c) 将第8章e)中“见3.1”改为“见4.2”。
本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本部分由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所。
本部分主要起草人:李丽霞、陈海蓉、崔波。 |
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