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| 英文名称： |
Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method |
 中标分类： |
冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS分类： |
冶金>>金属材料试验>>77.040.99金属材料的其他试验方法 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2011-01-10 |
| 实施日期： |
2011-10-01
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| 首发日期： |
2011-01-10 |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 主管部门： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
中国科学院半导体研究所 |
| 起草人： |
陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立 |
| 页数： |
16页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2011-10-01 |