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硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法

国家标准
标准编号:GB/T 35306-2017 标准状态:已作废
标准价格:29.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。
本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。
  
英文名称:  Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry
标准状态:  已作废
什么是替代情况? 替代情况:  GB/T 35306-2023代替
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>金属化学分析方法>>H17半金属及半导体材料分析方法
什么是ICS分类?  ICS分类:  冶金>>77.040金属材料试验
发布部门:  中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:  2017-12-29
实施日期:  2018-07-01
作废日期:  2024-03-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位:  昆明冶研新材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、陕西天宏硅材料有限责任公司
起草人:  张云晖、韩小月、毛智慧、赵建为、刘晓霞、王桃霞、田洪先、刘明军、银波、刘国霞、蔡延国、秦榕、童孟、钱津旺、杨红燕
页数:  12页
出版社:  中国标准出版社
出版日期:  2017-12-01
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