| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| GB/T 28275-2012 |
硅基MEMS制造技术 氢氧化钾腐蚀工艺规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2012-12-01 |
现行 |
| GB/T 28276-2012 |
硅基MEMS制造技术 体硅溶片工艺规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2012-12-01 |
现行 |
| GB/T 28277-2012 |
硅基MEMS制造技术 微键合区剪切和拉压强度检测方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2012-12-01 |
现行 |
| GB/T 32814-2016 |
硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2017-03-01 |
现行 |
| GB/T 32815-2016 |
硅基MEMS制造技术 体硅压阻加工工艺规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2017-03-01 |
现行 |
| GB/T 32816-2016 |
硅基MEMS制造技术 以深刻蚀与键合为核心的工艺集成规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2017-03-01 |
现行 |
| GB/T 33657-2017 |
纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2017-12-01 |
现行 |
| GB/T 33922-2017 |
MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-02-01 |
现行 |
| GB/T 33929-2017 |
MEMS高g值加速度传感器性能试验方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-02-01 |
现行 |
| GB 3430-1989 |
半导体集成电路型号命名方法 |
机械电子工业部
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1990-04-01 |
废止 |
| GB 3431.2-1986 |
半导体集成电路文字符号 引出端功能符号 |
国家标准局
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1987-04-01 |
现行 |
| GB/T 3432.4-1989 |
半导体集成电路TTL电路系列和品种 54/74LS系列的品种 |
信息产业部（电子）
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1990-04-01 |
作废 |
| GB/T 3434-1986 |
半导体集成电路ECL电路系列和品种 |
国家标准局
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1986-01-02 |
作废 |
| GB/T 3435-1987 |
半导体集成CMOS电路系列和品种 4000系列的品种 |
国家标准局
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1987-08-01 |
作废 |
| GB/T 34893-2017 |
微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构面内长度测量方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-05-01 |
现行 |
| GB/T 34894-2017 |
微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构应变梯度测量方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-05-01 |
现行 |
| GB/T 34898-2017 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS谐振敏感元件非线性振动测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-05-01 |
现行 |
| GB/T 34899-2017 |
微机电系统（MEMS）技术 基于拉曼光谱法的微结构表面应力测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-05-01 |
现行 |
| GB/T 34900-2017 |
微机电系统（MEMS）技术 基于光学干涉的MEMS微结构残余应变测量方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-05-01 |
现行 |
| GB/T 35001-2018 |
微波电路 噪声源测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35002-2018 |
微波电路 频率源测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35003-2018 |
非易失性存储器耐久和数据保持试验方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35004-2018 |
数字集成电路 输入/输出电气接口模型规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35005-2018 |
集成电路倒装焊试验方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35006-2018 |
半导体集成电路 电平转换器测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35007-2018 |
半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35008-2018 |
串行NOR型快闪存储器接口规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35009-2018 |
串行NAND型快闪存储器接口规范 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.1-2018 |
半导体芯片产品 第1部分：采购和使用要求 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.2-2018 |
半导体芯片产品 第2部分：数据交换格式 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.3-2018 |
半导体芯片产品 第3部分：操作、包装和贮存指南 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.4-2018 |
半导体芯片产品 第4部分：芯片使用者和供应商要求 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.5-2018 |
半导体芯片产品 第5部分：电学仿真要求 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.6-2018 |
半导体芯片产品 第6部分：热仿真要求 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.7-2018 |
半导体芯片产品 第7部分：数据交换的XML格式 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.8-2018 |
半导体芯片产品 第8部分：数据交换的EXPRESS格式 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35011-2018 |
微波电路 压控振荡器测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
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2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35086-2018 |
MEMS电场传感器通用技术条件 |
国家市场监督管理总局.
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2018-12-01 |
现行 |
| GB/T 36474-2018 |
半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 36477-2018 |
半导体集成电路 快闪存储器测试方法 |
国家市场监督管理总局.
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2019-01-01 |
现行 |