| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| GB/T 35005-2018 |
集成电路倒装焊试验方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35006-2018 |
半导体集成电路 电平转换器测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35007-2018 |
半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35008-2018 |
串行NOR型快闪存储器接口规范 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35009-2018 |
串行NAND型快闪存储器接口规范 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.1-2018 |
半导体芯片产品 第1部分：采购和使用要求 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.2-2018 |
半导体芯片产品 第2部分：数据交换格式 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.3-2018 |
半导体芯片产品 第3部分：操作、包装和贮存指南 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.4-2018 |
半导体芯片产品 第4部分：芯片使用者和供应商要求 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.5-2018 |
半导体芯片产品 第5部分：电学仿真要求 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.6-2018 |
半导体芯片产品 第6部分：热仿真要求 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.7-2018 |
半导体芯片产品 第7部分：数据交换的XML格式 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35010.8-2018 |
半导体芯片产品 第8部分：数据交换的EXPRESS格式 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35011-2018 |
微波电路 压控振荡器测试方法 |
国家质量监督检验检疫.
|
2018-08-01 |
现行 |
| GB/T 35086-2018 |
MEMS电场传感器通用技术条件 |
国家市场监督管理总局.
|
2018-12-01 |
现行 |
| GB/T 36474-2018 |
半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器 (DDR3 SDRAM)测试方法 |
国家市场监督管理总局.
|
2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 36477-2018 |
半导体集成电路 快闪存储器测试方法 |
国家市场监督管理总局.
|
2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 36479-2018 |
集成电路 焊柱阵列试验方法 |
国家市场监督管理总局.
|
2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 36614-2018 |
集成电路 存储器引出端排列 |
国家市场监督管理总局.
|
2019-01-01 |
现行 |
| GB/T 38341-2019 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS器件的可靠性综合环境试验方法 |
国家市场监督管理总局.
|
2020-04-01 |
现行 |
| GB/T 38446-2020 |
微机电系统（MEMS）技术 带状薄膜抗拉性能的试验方法 |
国家市场监督管理总局.
|
2020-10-01 |
现行 |
| GB/T 38447-2020 |
微机电系统（MEMS）技术 MEMS结构共振疲劳试验方法 |
国家市场监督管理总局.
|
2020-07-01 |
现行 |
| GB/T 39842-2021 |
集成电路（IC）卡封装框架 |
国家市场监督管理总局.
|
2021-07-01 |
现行 |
| GB/T 42709.19-2023 |
半导体器件 微电子机械器件 第19部分：电子罗盘 |
国家市场监督管理总局.
|
2024-03-01 |
现行 |
| GB/T 42709.5-2023 |
半导体器件 微电子机械器件 第5部分：射频MEMS开关 |
国家市场监督管理总局.
|
2023-09-01 |
现行 |
| GB/T 42709.7-2023 |
半导体器件 微电子机械器件 第7部分：用于射频控制和选择的MEMS体声波滤波器和双工器 |
国家市场监督管理总局.
|
2023-12-01 |
现行 |
| GB/T 42744-2023 |
微波电路 电调衰减器测试方法 |
国家市场监督管理总局.
|
2024-03-01 |
现行 |
| GB/T 42835-2023 |
半导体集成电路 片上系统（SoC） |
国家市场监督管理总局.
|
2023-12-01 |
现行 |
| GB/T 42836-2023 |
微波半导体集成电路 混频器 |
国家市场监督管理总局.
|
2023-12-01 |
现行 |
| GB/T 42837-2023 |
微波半导体集成电路 放大器 |
国家市场监督管理总局.
|
2023-12-01 |
现行 |
| GB/T 42838-2023 |
半导体集成电路 霍尔电路测试方法 |
国家市场监督管理总局.
|
2023-12-01 |
现行 |
| GB/T 42839-2023 |
半导体集成电路 模拟数字（AD）转换器 |
国家市场监督管理总局.
|
2023-12-01 |
现行 |
| GB/T 42848-2023 |
半导体集成电路 直接数字频率合成器测试方法 |
国家市场监督管理总局.
|
2023-12-01 |
现行 |
| GB/T 42895-2023 |
微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS微结构弯曲强度试验方法 |
国家市场监督管理总局.
|
2023-12-01 |
现行 |
| GB/T 42896-2023 |
微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS纳尺度结构冲击试验方法 |
国家市场监督管理总局.
|
2023-12-01 |
现行 |
| GB/T 42897-2023 |
微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMS纳米厚度膜抗拉强度试验方法 |
国家市场监督管理总局.
|
2023-12-01 |
现行 |
| GB/T 42968.1-2023 |
集成电路 电磁抗扰度测量 第1部分：通用条件和定义 |
国家市场监督管理总局.
|
2024-01-01 |
现行 |
| GB/T 42968.2-2024 |
集成电路 电磁抗扰度测量 第2部分：辐射抗扰度测量 TEM小室和宽带TEM小室法 |
国家市场监督管理总局.
|
2024-10-26 |
现行 |
| GB/T 42968.4-2024 |
集成电路 电磁抗扰度测量 第4部分：射频功率直接注入法 |
国家市场监督管理总局.
|
2024-12-31 |
现行 |
| GB/T 42968.8-2023 |
集成电路 电磁抗扰度测量 第8部分：辐射抗扰度测量 IC带状线法 |
国家市场监督管理总局.
|
2024-01-01 |
现行 |