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| 英文名称： |
Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) |
| 标准状态： |
即将实施 |
 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合 |
| ICS分类： |
电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合 |
| 采标情况： |
IEC 62373:2006 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2025-05-30 |
| 实施日期： |
2025-09-01
即将实施 距离实施日期还有61天 |
| 提出单位： |
中华人民共和国工业和信息化部 |
| 归口单位： |
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78) |
| 起草单位： |
工业和信息化部电子第五研究所、河北北芯半导体科技有限公司、上海交通大学、中科院微电子所、厦门芯阳科技股份有限公司、深圳市威兆半导体股份有限公司、浙江朗德电子科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 起草人： |
恩云飞、高汭、章晓文、来萍、柴智、林晓玲、陈义强、周圣泽、高金环、任鹏鹏、都安彦、李伟聪、陈磊、冉红雷 |
| 页数： |
16页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |