半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 |
 |
| 标准编号：GB/T 45716-2025 |
标准状态：即将实施 |
|
| 标准价格：0.0 元 |
客户评分：  |
|
|
立即购买工即可享受本标准状态变更提醒服务！ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| 英文名称： |
Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) |
| 标准状态： |
即将实施 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2025-05-30 |
| 实施日期： |
2025-09-01
即将实施 距离实施日期还有82天 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
|
|
|
|
| |
|
客服中心 |
| 有问题？找在线客服 |
 |
|
|
|
|
温馨提示：标准更新替换较快，请注意您购买的标准时效性。 |
|
|
|
|
| 必备软件下载 |
| Adobe Acrobat Reader 是一个查看、
阅读和打印PDF文件的最佳工具，通
过它可以查阅本站的标准文档 |
 |
|
|
|