碳化硅单晶片平整度测试方法 |
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| 标准编号：GB/T 32278-2015 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：24.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度,即总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)、弯曲度(Bow)、翘曲度(Warp)的测试方法。
本标准适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm,厚度0.13mm~1mm 碳化硅单晶抛光片平整度的测试。 |
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| 英文名称： |
Test method for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers |
 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2015-12-10 |
| 实施日期： |
2017-01-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 主管部门： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/T |
| 起草单位： |
北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。 |
| 起草人： |
陈小龙、郑红军、张玮、郭钰。 |
| 页数： |
8页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2017-01-01 |
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本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。
本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰。 |
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