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半导体材料术语

国家标准
标准编号:GB/T 14264-2024 标准状态:现行
标准价格:124.0 客户评分:星星星星1
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标准简介
本文件界定了半导体材料的一般术语和定义,材料制备与工艺及缺陷的术语和定义,以及缩略语。本文件适用于半导体材料的研发、生产、制备及相关领域。
英文名称:  Terminology of semiconductor materials
什么是替代情况? 替代情况:  替代GB/T 14264-2009
什么是中标分类? 中标分类:  冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合
什么是ICS分类?  ICS分类:  电气工程>>29.045半导体材料
发布部门:  国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
发布日期:  2024-04-25
实施日期:  2024-11-01
提出单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
什么是归口单位? 归口单位:  全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位:  有研半导体硅材料股份公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京大学东莞光电研究院、南京国盛电子有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、有研国晶辉新材料有限公司等
起草人:  孙燕、贺东江、李素青、宁永铎、丁晓民、朱晓彤、骆红、普世坤、秦榕、杭寅、郑安生、宫龙飞、程凤伶、黄笑容、李国鹏、金鹏、王彬、张雪囡、邱艳梅、刘文明、尹东林、孙聂枫、李寿琴、崔丁方、史舸、潘金平、殷淑仪、由佰玲
页数:  84页【胶订-大印张】
出版社:  中国标准出版社
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半金属与半导体材料综合相关标准 第1页 
 GB/T 13387-2009  硅及其它电子材料晶片参考面长度测量方法
 GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
 GB/T 14139-2009 硅外延片
 GB/T 14141-2009  硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
 GB/T 14144-2009  硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
 GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
 GB/T 14264-1993 半导体材料术语
 GB/T 14264-2009 半导体材料术语
 GB/T 14844-1993 半导体材料牌号表示方法
 GB/T 14844-2018 半导体材料牌号表示方法
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半导体材料相关标准 第1页 第2页 
 DL/T 2310-2021 电力系统高压功率器件用碳化硅外延片使用条件
 GB/T 11072-2009  锑化铟多晶、单晶及切割片
 GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
 GB/T 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片
 GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片
 GB/T 12962-1996 硅单晶
 GB/T 12962-2005 硅单晶
 GB/T 12962-2015 硅单晶
 GB/T 12963-1996 硅多晶
 GB/T 12963-2009 硅多晶
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