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| 英文名称： |
Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement |
 中标分类： |
冶金>>金属理化性能试验方法>>H21金属物理性能试验方法 |
| ICS分类： |
冶金>>77.040金属材料试验 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2022-12-30 |
| 实施日期： |
2023-04-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： |
北京天科合达半导体股份有限公司、中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、安徽长飞先进半导体有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 起草人： |
彭同华、佘宗静、王大军、张贺、李素青、王波、杨建、袁松、刘立娜 |
| 页数： |
12页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |