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| 英文名称： |
Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry |
 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H82元素半导体材料 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2016-04-25 |
| 实施日期： |
2016-11-01
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| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) |
| 起草单位： |
国家太阳能光伏产品质量监督检验中心(无锡市产品质量监督检验中心)、江苏中能硅业科技发展有限公司、国家硅材料深加工产品质量监督检验中心、江西赛维LDK太阳能高科技有限公司、中国电子技术标准化研究院 |
| 起草人： |
何莉、吴建国、王琴、周滢、刘晓霞、鲁文锋、陈进、封丽娟、李建德、黄雪雯、孙绍武、冯亚彬、裴会川 |
| 页数： |
16页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2016-11-01 |