硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 |
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| 标准编号：GB/T 29505-2013 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：54.0 元 |
客户评分：  |
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本标准提供了硅片表面粗糙度测量常用的轮廓仪、干涉仪、散射仪三类方法的测量原理、测量设备和程序,并规定了硅片表面局部或整个区域的标准扫描位置图形及粗糙度缩写定义。
本标准适用于平坦硅片表面的粗糙度测量;也可用于其他类型的平坦晶片材料,但不适用于晶片边缘区域的粗糙度测量。
本标准不适用于带宽空间波长≤10nm 的测量仪器。 |
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| 英文名称： |
Test method for measuring surface roughness on planar surfaces of silicon wafer |
 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2013-05-09 |
| 实施日期： |
2014-02-01
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| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) |
| 主管部门： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203) |
| 起草单位： |
有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所 |
| 起草人： |
孙燕、李莉、卢立延、翟富义、向磊 |
| 页数： |
32页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2014-02-01 |
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本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料股份有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所。
本标准主要起草人:孙燕、李莉、卢立延、翟富义、向磊。 |
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前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 方法提要 2
5 干扰因素 3
6 仪器设备 3
7 粗糙度测量步骤 5
8 报告 8
附录A (规范性附录) 粗糙度测量规范和有关输出的例子 9
附录B(资料性附录) 有关硅片粗糙度分布的试验和模型(源于SEMIM40附录) 11
参考文献 25 |
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GB/T14264 半导体材料术语 |
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