硅片表面平整度测试方法 |
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| 标准编号：GB/T 6621-2009 |
标准状态：现行 |
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| 标准价格：24.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。
本标准适用于测量标准直径76mm、100mm、125mm、150mm、200mm,电阻率不大于200Ω·cm厚度不大于1000μm 的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。 |
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| 英文名称： |
Testing methods for surface flatness of silicon slices |
 替代情况： |
替代GB/T 6621-1995 |
| 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H80半金属与半导体材料综合 |
| ICS分类： |
电气工程>>29.045半导体材料 |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2009-10-30 |
| 实施日期： |
2010-06-01
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| 首发日期： |
1986-07-26 |
| 提出单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会 |
| 归口单位： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 主管部门： |
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会 |
| 起草单位： |
上海合晶硅材料有限公司 |
| 起草人： |
徐新华、严世权、王珍 |
| 页数： |
8页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 出版日期： |
2010-06-01 |
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本标准代替GB/T6621-1995《硅抛光片表面平整度测试方法》。
本标准与GB/T6621-1995相比,主要变动如下:
---将名称修改为硅片表面平整度测试方法;
---去掉了目前较少采用的干涉法,只保留了目前常用的电容法;
---增加引用标准;
---对方法提要、仪器装置、测量程序、计算进行了全面修改;
---经实验重新确定了精密度;
---在第一章增加本标准适用的试样范围;
---在试样一章中说明对所测试样的要求。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准主要起草单位:上海合晶硅材料有限公司。
本标准主要起草人:徐新华、严世权、王珍。
本标准所替代标准的历次版本发布情况为:
---GB/T6621-1986、GB/T6621-1995。 |
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