硅外延层电阻率测试方法(电容-电压法)(暂行) |
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| 标准编号：SJ 1551-1979 |
标准状态：已废止 |
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| 标准价格：8.0 元 |
客户评分：  |
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本标准规定了N/N、P/P结构硅外延片的净杂质浓度，通过净杂质浓度与电阻率的关系曲线，可求得电阻率。 |
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| 英文名称： |
Method of measurement for resistivity of silicon epitaxial layer (capacitance-voltage method) (Provisional) |
| 标准状态： |
已废止 |
 中标分类： |
冶金>>半金属与半导体材料>>H81半金属 |
| 发布部门： |
中华人民共和国第四机械工业部 |
| 发布日期： |
1980-03-01 |
| 实施日期： |
1980-06-01
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| 作废日期： |
2010-02-01
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| 页数： |
4页 |
| 出版日期： |
1980-06-01 |
| 标准前页： |
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