| 标准编号 |
标准名称 |
发布部门 |
实施日期 |
状态 |
| SJ/T 2658.3-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流 |
工业和信息化部
|
2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.4-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 电容的测试方法 |
|
1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.4-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容 |
工业和信息化部
|
2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.5-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 正向串联电阻的测试方法 |
|
1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.5-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻 |
工业和信息化部
|
2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.6-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 输出光功率的测试方法 |
|
1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.6-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 |
工业和信息化部
|
2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.7-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 辐射通量的测试方法 |
|
1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.7-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量 |
工业和信息化部
|
2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.8-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 法向辐射率的测试方法 |
|
1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.8-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 |
工业和信息化部
|
2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2658.9-1986 |
半导体红外发光二极管测试方法 辐射强度空间分布和半强度角的测试方法 |
|
1986-10-01 |
作废 |
| SJ/T 2658.9-2015 |
半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角 |
工业和信息化部
|
2016-04-01 |
现行 |
| SJ 2660-1986 |
软钎焊用树脂系焊剂试验方法 |
|
1986-10-01 |
作废 |
| SJ 2662-1986 |
７５６型船用导航雷达技术条件 |
电子工业部
|
1986-10-01 |
废止 |
| SJ 2663-1986 |
黑白电视广播接收机特高频（ＵＨＦ）频段基本参数 |
电子工业部
|
1986-10-01 |
废止 |
| SJ 2664-1986 |
氦氖激光器的加速寿命试验方法 |
|
1986-10-01 |
现行 |
| SJ 2665-1986 |
薄膜介质调谐可变电容器总技术条件 |
|
1986-08-01 |
作废 |
| SJ 2666-1986 |
薄膜介质调谐可变电容器结构型式尺寸 |
|
1994-12-01 |
作废 |
| SJ 2667-1986 |
光纤光缆数值孔径测量方法 |
电子工业部
|
1986-07-01 |
废止 |
| SJ 2668-1986 |
光纤光缆衰减测量方法 |
电子工业部
|
1986-07-01 |
废止 |
| SJ 2669-1986 |
圆导体无屏蔽带状电缆总规范 |
电子工业部
|
1986-07-01 |
现行 |
| SJ 2670-1986 |
永磁低速同步电动机 |
|
1986-07-01 |
现行 |
| SJ 2671-1986 |
纵横制用户交换机安装验收规则 |
|
1986-10-01 |
现行 |
| SJ 2672.1-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３０１型１７５ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2672.2-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３０２型１７５ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2672.3-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３０３型１７５ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2672.4-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３０４型１７５ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2672.5-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３０５型１７５ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2672.6-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３０６型１７５ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2672.7-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３０７型１７５ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2672.8-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３０８型１７５ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2672.9-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３０９型１７５ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2673.1-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３１１型４７０ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2673.2-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３１２型４７０ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2673.3-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３１３型４７０ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2673.4-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３１４型４７０ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2673.5-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３１５型４７０ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2673.6-1986 |
电子器件详细规范 ３ＤＡ３１６型４７０ＭＨｚ管壳额定的低电压双极型功率晶体管 |
|
1987-06-01 |
废止 |
| SJ 2674-1986 |
电子器件详细规范 低功率非线绕固定电阻器ＲＪ１６型金属膜固定电阻器 评定水平Ｅ |
电子工业部
|
1986-10-01 |
作废 |