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| 英文名称： |
Semiconductor Devices—Discrete deveice—Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes—Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes) |
 替代情况： |
GB/T 6589-1986 |
| 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L41半导体二极管 |
| ICS分类： |
电子学>>半导体器件>>31.080.10二极管 |
| 采标情况： |
IEC 60747-3-2:1986,IDT |
| 发布部门： |
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 |
| 发布日期： |
2002-12-04 |
| 实施日期： |
2003-05-01
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| 首发日期： |
1986-07-24 |
| 复审日期： |
2023-12-28 |
| 提出单位： |
中华人民共和国信息产业部赵英 |
| 归口单位： |
全国半导体器件标准化技术委员会 |
| 主管部门： |
信息产业部（电子） |
| 起草单位： |
中国电子技术标准化研究所（CESI） |
| 起草人： |
赵英 |
| 页数： |
平装16开， 页数：14， 字数：23千字 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |
| 书号： |
155066.1-19689 |
| 出版日期： |
2003-05-01 |
| 标准前页： |
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