|
| 英文名称： |
Semiconductor devices—Time-dependent dielectric breakdown(TDDB) test for inter-metal layers |
| 标准状态： |
即将实施 |
 中标分类： |
电子元器件与信息技术>>半导体分立器件>>L40半导体分立器件综合 |
| ICS分类： |
电子学>>半导体器件>>31.080.01半导体器件综合 |
| 发布部门： |
国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： |
2025-05-30 |
| 实施日期： |
2025-09-01
即将实施 距离实施日期还有60天 |
| 提出单位： |
中华人民共和国工业和信息化部 |
| 归口单位： |
全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC 78) |
| 起草单位： |
工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、广东科信电子有限公司、中国电子科技集团公司第二十四研究所、广东汇芯半导体有限公司、上海交通大学、青岛芯瑞智能控制有限公司、电子科技大学 |
| 起草人： |
高汭、陈义强、王铁羊、柯佳键、冯宇翔、雷志锋、方文啸、杨晓锋、俞鹏飞、来萍、常江、罗俊、纪志罡、李治平、宫玉彬 |
| 页数： |
20页 |
| 出版社： |
中国标准出版社 |