本标准是对GB/T17473-1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》(所有部分)的整合修订,分为7个部分:
---GB/T17473.1-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 固体含量测定;
---GB/T17473.2-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 细度测定;
---GB/T17473.3-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定;
---GB/T17473.4-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 附着力测试;
---GB/T17473.5-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 粘度测定;
---GB/T17473.6-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 分辨率测定;
---GB/T17473.7-2008 微电子技术用贵金属浆料测试方法 可焊性、耐焊性测定。
本部分为GB/T17473-2008的第3部分。
本部分代替GB/T17473.3-1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定》。
本部分与GB/T17473.3-1998相比,主要有如下变动:
---将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定;
---增加低温固化型浆料方阻的测定方法;
---原标准的原理中,将浆料用丝网印刷在陶瓷基片,经过烧结后,膜层在一定温度及其厚度、宽度不变的情况下……修改为:将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上,经过烧结或固化后,膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下;
---测厚仪修改为:光切显微测厚仪用于烧结型浆料:范围为0mm~5 mm,精度为0.001 mm。
千分尺用于固化型浆料:范围为0mm~5mm,精度为0.001mm。
本部分的附录A 为规范性附录。
本部分由中国有色金属工业协会提出。
本部分由全国有色金属标准化技术委员会归口。
本部分由贵研铂业股份有限公司负责起草。
本部分主要起草人:金勿毁、刘继松、李文琳、陈伏生、朱武勋、李晋。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T17473.3-1998。 |
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