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| 英文名称： |
Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon ultra-high frequency low-power transistor of Type 3DG918 |
 中标分类： |
矿业>>矿业综合>>D01技术管理 |
| 发布部门： |
中国电子工业总公司 |
| 发布日期： |
1992-11-19 |
| 实施日期： |
1993-05-01
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| 提出单位： |
中国电子工业总公司科技质量局 |
| 归口单位： |
中国电子技术标准化研究所 |
| 起草单位： |
中国电子技术标准化研究所和国营九七零厂 |
| 起草人： |
王长福、长宗国、任继利、谢佩兰 |
| 页数： |
12页 |
| 出版社： |
电子工业出版社 |
| 出版日期： |
1993-04-01 |
| 标准前页： |
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